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半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法
Alternative Title半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法
石川 務; 町田 豊稔; 田中 宏和
2009-02-26
Rights Holderユーディナデバイス株式会社
Date Available2009-02-26
Country日本
Subtype发明申请
Abstract【課題】 ヒータ温度の補正を行う際に波長変動量を抑制することができる、レーザ装置、および半導体レーザの制御方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置(100)は、ヒータ(14)によって選択波長を変化させることができる波長選択部(11)を備えた半導体レーザ(10)と、ヒータ(14)を所定の発熱量で発熱させる温度制御、および、ヒータ(14)の発熱量を所定の制限値以内で補正する補正温度制御、を行うコントローラ(50)と、を備える。 【選択図】図3
Other Abstract要解决的问题:提供激光装置和半导体激光器的控制方法,其可以在校正加热器温度时控制波长变化。解决方案:半导体激光器装置(100)包括半导体激光器(10),其具有用于通过加热器(14)改变选择波长的部分(11),以及执行用于使加热器进行温度控制的控制器(50)( 14)以预定的热值产生热量,并且校正温度控制用于将加热器(14)的热值校正在预定的极限值内。 Ž
Claim-
Application Date2007-08-10
Patent NumberJP2009044024A
Status失效
Application NumberJP2007208816
Open (Notice) NumberJP2009044024A
IPC Classification NumberH01S5/0687 | H01S5/00
Patent Agent片山 修平 | 八田 俊之 | 横山 照夫
Agency-
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51596
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliationユーディナデバイス株式会社
Recommended Citation
GB/T 7714
石川 務,町田 豊稔,田中 宏和. 半導体レーザ装置、および半導体レーザの制御方法. JP2009044024A[P]. 2009-02-26.
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