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バーンイン装置、バーンイン試験方法および接触状態検知方法
其他题名バーンイン装置、バーンイン試験方法および接触状態検知方法
上山 明紀
2008-08-28
专利权人SHARP CORP
公开日期2008-08-28
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 半導体レーザ装置100の温度に対する温度制御の応答速度が速いために温度制御が正確で試験時間が短く、さらに低コスト化に優れたバーンイン装置およびバーンイン試験方法を提供する。 【解決手段】 恒温プレート202を含むプレート部に半導体レーザ装置100が設置され、第1温度センサ208が恒温プレート202の温度を検出し、温度制御器209およびメイン制御ユニット210が第1温度センサ208によって検出された温度に基づいて恒温プレート202の温度を制御しつつ、フォトダイオード211およびAPC回路212が半導体レーザ装置100の特性を測定し、メイン制御ユニット210が得られた測定結果に基づいて半導体100の良否を判定するようにする。 【選択図】図2
其他摘要要解决的问题:提供一种能够精确控制温度的老化装置和老化测试方法,因为半导体激光装置100的温度控制响应速度快,缩短了测试时间,并且极好地降低了成本。 ŽSOLUTION:半导体激光装置100安装在包含恒温板202的板部件上。第一温度传感器208检测恒温板202的温度。而温度控制器209和主控制单元210控制温度。根据第一温度传感器208检测到的温度,恒温板202,光电二极管211和APC电路212测量半导体激光器件100的特性,并根据获得的测量结果确定半导体100的质量。主控制单元210.Ž
主权项-
申请日期2007-02-09
专利号JP2008196920A
专利状态失效
申请号JP2007031301
公开(公告)号JP2008196920A
IPC 分类号H01S5/00 | G01R31/26
专利代理人西教 圭一郎 | 杉山 毅至
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51564
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
上山 明紀. バーンイン装置、バーンイン試験方法および接触状態検知方法. JP2008196920A[P]. 2008-08-28.
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