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成膜方法、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、レーザ発光素子の製造方法、エレクトロルミネッセンス素子及びレーザ発光素子
其他题名成膜方法、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、レーザ発光素子の製造方法、エレクトロルミネッセンス素子及びレーザ発光素子
腰原 伸也; 蛯原 建三; 宮澤 貴士; 吉良 満夫; 鈴木 俊博
2006-06-01
专利权人INSTITUTE OF PHYSICAL & CHEMICAL RESEARCH
公开日期2006-06-01
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】波長純度の高い紫外光を得ることのできるEL素子及びレーザ発光素子を提供する。 【解決手段】ポリシラン又はオリゴシラン等、Si,Ge,Sn,Pbから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層13として透明電極12と上部電極14の間に配置してEL素子10を構成する。発光層としてポリ-ジ-n-ヘキシルポリシリレン(PDHS)を用いた場合、両電極12,14間に直流電圧を印加することで約370nmに鋭いピークを有するELスペクトルが得られる。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:提供这样的电致发光(EL)元件和激光发射元件,以发射具有尖锐带的紫外光。 ΣSOLUTION:电致发光元件10具有这样的构造,其中由聚合物或低聚物制成的薄膜的发光层13由直接耦合的相同或不同的元素形成,所述元素选自Si,Ge,Sn和将诸如聚硅烷或低聚硅烷的Pb置于透明电极12和上电极14之间。当使用聚二正己基聚硅烯(PDHS)作为发光层时,电致发光元件用EL发光。当在两个电极12和14之间放置直流电压时,在约370nm处具有尖峰的光谱
主权项-
申请日期2005-11-14
专利号JP2006138018A
专利状态失效
申请号JP2005329027
公开(公告)号JP2006138018A
IPC 分类号C23C14/06 | H01S5/30 | C23C16/42 | C08G77/60 | H05B33/10 | C23C16/44 | C09K11/06 | C23C14/24 | H01L51/50 | C23C16/48 | C08G77/00 | H01S5/00
专利代理人平木 祐輔 | 関谷 三男 | 渡辺 敏章
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51515
专题半导体激光器专利数据库
作者单位INSTITUTE OF PHYSICAL & CHEMICAL RESEARCH
推荐引用方式
GB/T 7714
腰原 伸也,蛯原 建三,宮澤 貴士,等. 成膜方法、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、レーザ発光素子の製造方法、エレクトロルミネッセンス素子及びレーザ発光素子. JP2006138018A[P]. 2006-06-01.
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