半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法

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	半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
其他题名	半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
	石田裕之; 冨士原潔
	2007-02-08
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2007-02-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】内部への物の侵入を防止するとともに小型化され、高い放熱効率を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】金属板1と、金属板1の上に設けられた、受光素子と発光素子とを含む受発光部と、少なくとも一部が金属板1の上に設けられた、上記受発光部と電気的に接続されたフレキシブルシート5と、金属板1の上方に設けられたガラス基板7と、金属板1の上の側部に設けられた、封止基板6a,6bとを備え、金属板1及びガラス基板7の相手方と対向する面には、それぞれ溝1a,1b、溝7a,7bが設けられており、封止基板6aは溝1a及び溝7aに嵌め込まれており、封止基板6bは溝1b及び溝7bに嵌め込まれている。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够防止物质侵入其内部的半导体激光装置，并且具有高散热效率的同时小型化。 ŽSOLUTION：半导体激光装置具有金属板1，设置在金属板1上并包括光接收元件和发光元件的光接收和发射单元，柔性片5，其至少一部分电连接金属板1上的光接收和发射单元，金属板1上方的玻璃基板7，以及金属板1上侧的密封基板6a，6b。在这种情况下，凹槽1a，1b和凹槽7a图7b所示的金属板7b分别设置在金属板1和玻璃基板7的相对表面上。密封基板6a嵌入槽1a和槽7a中，但密封基板6b嵌入槽1b和槽7b中。 Ž
主权项	-
申请日期	2005-07-26
专利号	JP2007035884A
专利状态	失效
申请号	JP2005216387
公开（公告）号	JP2007035884A
IPC 分类号	G11B7/125 \| G11B7/135 \| G11B7/22 \| H01S5/022 \| H01S5/00
专利代理人	新居広守
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51498
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	石田裕之,冨士原潔. 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法. JP2007035884A[P]. 2007-02-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2007035884A.PDF（134KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文