Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザユニットおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザユニットおよびその製造方法 |
| 塩本 武弘 | |
| 1999-07-09 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体レーザの動作寿命を長くすると共に製造コストの低廉価を図る。 【解決手段】 一対の鉄層8a、8bで銅層9を挟んだ3層構造のクラッド材をプレスして本体部1とブロック部7とを一体成形する。ブロック部7の少なくともレーザチップ2と接する部分の鉄層8aを除去するか、又はブロック部の少なくともレーザチップと接する部分を銅メッキで覆う。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过至少在块中的激光芯片附近去除铁层来延长工作寿命特性并降低制造成本。部分是为了改善杆的热辐射特性。解决方案：主体部分1包括三层，其中铜层9放置在一对铁层8a和8b之间，块部分7通过使铜层9的一部分从主体部分1沿方向扩展而形成。层厚度。通过按压三个包覆材料层形成杆S，所述三个包覆材料层与主体部分1和块部分7一体形成。随后，激光芯片2安装在块体部分7的侧面的上端。杆S和用金线连接到激光终端。结果，由于激光芯片2仅与铜层9接触而没有铁层接触，因此可以通过铜的优异导热性来改善杆S的热辐射特性并且可以延长工作寿命。用激光芯片2。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-12-18 |
| 专利号 | JP1999186649A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997349763 |
| 公开（公告）号 | JP1999186649A |
| IPC 分类号 | H01B12/10 | H01S5/00 | H01B13/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51144 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩本 武弘. 半導体レーザユニットおよびその製造方法. JP1999186649A[P]. 1999-07-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999186649A.PDF（47KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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