Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体接着基板および半導体モジユール | |
| 其他题名 | 半導体接着基板および半導体モジユール |
| 濱崎 浩史; 古山 英人; 黒田 文彦; 阪口 眞弓; 中村 優 | |
| 1993-02-12 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 簡単なプロセスでエッチング深さの誤差を一定微小範囲内に制御でき、かつ、厚い基板を得る場合にも適用できる半導体接着基板を提供することを目的とする。 【構成】 平滑な表面を有する少なくとも3層の半導体あるいは絶縁体の被エッチング層と、この被エッチング層の平滑面間に介在する半導体あるいは絶縁体のエッチング停止層とを具備し、前記エッチング停止層は、所望のエッチング方法に対して前記被エッチング層と異なるエッチング速度を有する。 |
| 其他摘要 | [目的]本发明的目的是提供一种半导体键合衬底，其能够通过简单的工艺控制在一定的微小范围内的蚀刻深度的误差，并且可以应用于获得厚的衬底。 一种半导体或绝缘体，其具有至少三层的具有光滑表面的蚀刻层和半导体或绝缘体的蚀刻停止层，其插入在待蚀刻层的光滑表面之间，蚀刻停止层对于所需的蚀刻方法，具有与待蚀刻的层不同的蚀刻速率。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1991-07-29 |
| 专利号 | JP1993036643A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991188948 |
| 公开（公告）号 | JP1993036643A |
| IPC 分类号 | H01L21/302 | H01L21/3065 | H01L23/12 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 三好 秀和 (外4名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50718 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 濱崎 浩史,古山 英人,黒田 文彦,等. 半導体接着基板および半導体モジユール. JP1993036643A[P]. 1993-02-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993036643A.PDF（38KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [濱崎 浩史]的文章 |
| [古山 英人]的文章 |
| [黒田 文彦]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [濱崎 浩史]的文章 |
| [古山 英人]的文章 |
| [黒田 文彦]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [濱崎 浩史]的文章 |
| [古山 英人]的文章 |
| [黒田 文彦]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论