Semiconductor wavelength control element and semiconductor laser

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	Semiconductor wavelength control element and semiconductor laser
其他题名	Semiconductor wavelength control element and semiconductor laser
	KAMEDA TOSHIHIRO
	1992-01-13
专利权人	ANRITSU CORP
公开日期	1992-01-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To increase the change of refractive index of a wavelength control region and enlarge the shift amount of wavelength, by constituting a plurality of guide layers. CONSTITUTION:The following are formed; a plurality of guide layers 4, 7 which are formed on a semiconductor substrate 1, isolated almost in parallel by interposing a barrier layer 5, and optically coupled with each other, a diffraction grating 3 arranged on the guide layer 4, and control electrodes 9, 10 for controlling the carrier concentration of the guide layers 4, 7. In this case, by stacking the guide layers while interposing the barrier layer whose thickness is available for optical coupling, the light confinement more perfect than the case of single layer is realized. Thereby the refraction index can be largely changed in a wavelength control region, and wavelength can be adjusted in a wide range.
其他摘要	目的：通过构成多个引导层，增加波长控制区域的折射率的变化并增大波长的偏移量。组成：以下形成;多个引导层4,7形成在半导体衬底1上，通过插入阻挡层5几乎平行地隔离，并且彼此光学耦合，设置在引导层4上的衍射光栅3和控制电极9在这种情况下，通过在插入厚度可用于光学耦合的阻挡层的同时堆叠引导层，实现了比单层情况更完美的光限制，用于控制引导层4,7的载流子浓度。。由此，可以在波长控制区域中大幅改变折射率，并且可以在宽范围内调节波长。
主权项	-
申请日期	1990-04-25
专利号	JP1992007884A
专利状态	失效
申请号	JP1990109267
公开（公告）号	JP1992007884A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50615
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ANRITSU CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KAMEDA TOSHIHIRO. Semiconductor wavelength control element and semiconductor laser. JP1992007884A[P]. 1992-01-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992007884A.PDF（204KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文