一种高功率密度半导体激光器热沉

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	一种高功率密度半导体激光器热沉
其他题名	一种高功率密度半导体激光器热沉
	仲莉; 张俊杰; 罗泓; 井红旗; 祁琼; 刘素平; 马骁宇
	2017-10-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-10-24
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种高功率密度半导体激光器热沉，包括：进水热沉，为一具有上窄下宽横截面的柱状结构，柱体厚度大于列阵条长度(标准10mm)，较窄的上表面用于焊接高密度封住的半导体激光器列阵条叠层。其一侧面开有入水孔，入水孔四周开有凹槽；所述入水孔将水道引入所述进水热沉后，水道方向变为垂直向上的水道，并延伸至接近进水热沉上表面的位置，之后变为水平方向的第一梳状导流齿水道；中间热沉，在与所述进入热沉的第一梳状导流齿水道相应的部位开有贯通于中间热沉两侧面的第二梳状导流齿水道，第二梳状导流齿水道两端外侧开有凹槽；出水热沉，另一侧面开有水平螺纹出水孔，所述出水孔和梳状导流齿水道之间通过一段垂直直通水道连通。
其他摘要	本发明公开了一种高功率密度半导体激光器热沉，包括：进水热沉，为一具有上窄下宽横截面的柱状结构，柱体厚度大于列阵条长度(标准10mm)，较窄的上表面用于焊接高密度封住的半导体激光器列阵条叠层。其一侧面开有入水孔，入水孔四周开有凹槽；所述入水孔将水道引入所述进水热沉后，水道方向变为垂直向上的水道，并延伸至接近进水热沉上表面的位置，之后变为水平方向的第一梳状导流齿水道；中间热沉，在与所述进入热沉的第一梳状导流齿水道相应的部位开有贯通于中间热沉两侧面的第二梳状导流齿水道，第二梳状导流齿水道两端外侧开有凹槽；出水热沉，另一侧面开有水平螺纹出水孔，所述出水孔和梳状导流齿水道之间通过一段垂直直通水道连通。
申请日期	2015-02-12
专利号	CN104682189B
专利状态	失效
申请号	CN201510075853.6
公开（公告）号	CN104682189B
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50275
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	仲莉,张俊杰,罗泓,等. 一种高功率密度半导体激光器热沉. CN104682189B[P]. 2017-10-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104682189B.PDF（208KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文