半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构

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	半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构
其他题名	半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构
	李军; 刘志平; 高珊; 张磊; 邹勇明
	2010-11-03
专利权人	河北中瓷电子科技股份有限公司
公开日期	2010-11-03
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构，包括金属底板、焊接在金属底板四周上的金属墙体、焊接于金属墙体开口内的光耦合接口以及焊接于光耦合接口两侧金属墙体开口内的陶瓷绝缘子，陶瓷绝缘子上有针形开孔，金属引线焊接在上述针形开孔内并和内外电路相连接，其中：陶瓷绝缘子为T字形结构，细端焊接在金属墙体的开口内，宽端与金属墙体外侧相接触并焊接在金属墙体上。通过将陶瓷绝缘子设置成T字形结构，增加陶瓷绝缘子和金属墙体间的焊接面积，从而解决随着半导体激光器的使用时间加长，器件气密性变差，可靠性低的问题。
其他摘要	本实用新型公开了一种半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构，包括金属底板、焊接在金属底板四周上的金属墙体、焊接于金属墙体开口内的光耦合接口以及焊接于光耦合接口两侧金属墙体开口内的陶瓷绝缘子，陶瓷绝缘子上有针形开孔，金属引线焊接在上述针形开孔内并和内外电路相连接，其中：陶瓷绝缘子为T字形结构，细端焊接在金属墙体的开口内，宽端与金属墙体外侧相接触并焊接在金属墙体上。通过将陶瓷绝缘子设置成T字形结构，增加陶瓷绝缘子和金属墙体间的焊接面积，从而解决随着半导体激光器的使用时间加长，器件气密性变差，可靠性低的问题。
申请日期	2010-03-05
专利号	CN201623361U
专利状态	授权
申请号	CN201020126786.9
公开（公告）号	CN201623361U
IPC 分类号	H01S5/022
专利代理人	李荣文
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50263
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	河北中瓷电子科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李军,刘志平,高珊,等. 半导体激光器用金属-陶瓷绝缘子封装结构. CN201623361U[P]. 2010-11-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN201623361U.PDF（175KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文