安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器

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	安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器
其他题名	安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器
	马蒂亚斯·施里姆佩尔; 阿尔弗雷德·菲提施; 加比·纽鲍尔
	2017-07-25
专利权人	光谱传感器公司
公开日期	2017-07-25
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰‑谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。
其他摘要	半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰‑谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。
申请日期	2012-08-14
专利号	CN103782459B
专利状态	授权
申请号	CN201280040057.3
公开（公告）号	CN103782459B
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/042 \| H01L23/485
专利代理人	戚传江 \| 穆德骏
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49872
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	光谱传感器公司
推荐引用方式 GB/T 7714	马蒂亚斯·施里姆佩尔,阿尔弗雷德·菲提施,加比·纽鲍尔. 安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器. CN103782459B[P]. 2017-07-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103782459B.PDF（1706KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文