一种传导冷却高功率半导体激光器

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	一种传导冷却高功率半导体激光器
其他题名	一种传导冷却高功率半导体激光器
	朱其文; 张普; 吴的海; 刘兴胜; 熊玲玲; 聂志强
	2017-01-18
专利权人	中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期	2017-01-18
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供了一种传导冷却高功率半导体激光器，包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块，其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端；正、负极连接块相对的内侧面分别具有第一凸台和第二凸台；第一凸台和第二凸台均为L型，两者呈中心对称设置；第一凸台和第二凸台共同作为激光器的热沉；L型长部与绝缘导热块竖部的两个端面相贴并焊接；L型短部为孔板形式作为引出电极；正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与绝缘导热块横部的两个端面相贴并焊接；正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与激光芯片组的正、负极端相贴并焊接。本实用新型结构简单、集成性好。
其他摘要	本实用新型提供了一种传导冷却高功率半导体激光器，包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块，其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端；正、负极连接块相对的内侧面分别具有第一凸台和第二凸台；第一凸台和第二凸台均为L型，两者呈中心对称设置；第一凸台和第二凸台共同作为激光器的热沉；L型长部与绝缘导热块竖部的两个端面相贴并焊接；L型短部为孔板形式作为引出电极；正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与绝缘导热块横部的两个端面相贴并焊接；正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与激光芯片组的正、负极端相贴并焊接。本实用新型结构简单、集成性好。
申请日期	2016-07-06
专利号	CN205901066U
专利状态	授权
申请号	CN201620712927.2
公开（公告）号	CN205901066U
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/40
专利代理人	陈广民
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49783
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱其文,张普,吴的海,等. 一种传导冷却高功率半导体激光器. CN205901066U[P]. 2017-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN205901066U.PDF（151KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文