一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器

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	一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器
其他题名	一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器
	郑婉华; 刘安金; 王科; 渠宏伟; 邢名欣; 陈微; 周文君
	2010-10-27
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2010-10-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。
其他摘要	本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。
申请日期	2008-05-21
专利号	CN101588017B
专利状态	授权
申请号	CN200810112207.2
公开（公告）号	CN101588017B
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	周国城
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49577
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,刘安金,王科,等. 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器. CN101588017B[P]. 2010-10-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101588017B.PDF（398KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文