Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 | |
| 其他题名 | 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 |
| 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国 | |
| 2015-05-06 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2015-05-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。 |
| 其他摘要 | 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。 |
| 申请日期 | 2013-02-22 |
| 专利号 | CN103197507B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201310057280.5 |
| 公开（公告）号 | CN103197507B |
| IPC 分类号 | G03F7/20 | H01L21/027 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49530 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁平,胡颖,刘俊岐,等. 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法. CN103197507B[P]. 2015-05-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103197507B.PDF（273KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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