Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构 | |
其他题名 | 一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构 |
穆瑶; 李马惠; 燕聪慧; 崔月月; 宋晓栋; 王超超; 王娜; 赵迪; 田童飞; 长孙强强; 袁灿 | |
2019-09-06 | |
专利权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
公开日期 | 2019-09-06 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型提供的一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构,包括台状波导结构,所述台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部的表面形成有掩膜层;该电流限制结构的台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部为掩膜层结构,缩小了两层电流限制层之间的泄露通道,从而提高了电流注入效率。进一步的,在台状波导结构的两侧形成的P/N/P型磷化铟形成电流限制层,使得台状脊波导结构两侧会形成高耸的漏斗形貌,也同时提高了激光器的电流注入效率,最终提高激光器的可靠性及常高温功率特性。 |
其他摘要 | 本实用新型提供的一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构,包括台状波导结构,所述台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部的表面形成有掩膜层;该电流限制结构的台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部为掩膜层结构,缩小了两层电流限制层之间的泄露通道,从而提高了电流注入效率。进一步的,在台状波导结构的两侧形成的P/N/P型磷化铟形成电流限制层,使得台状脊波导结构两侧会形成高耸的漏斗形貌,也同时提高了激光器的电流注入效率,最终提高激光器的可靠性及常高温功率特性。 |
申请日期 | 2019-01-22 |
专利号 | CN209358061U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201920110028.9 |
公开(公告)号 | CN209358061U |
IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/34 | H01S5/343 | H01S5/12 |
专利代理人 | 徐文权 |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49475 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 穆瑶,李马惠,燕聪慧,等. 一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构. CN209358061U[P]. 2019-09-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN209358061U.PDF(297KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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