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一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构
其他题名一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构
穆瑶; 李马惠; 燕聪慧; 崔月月; 宋晓栋; 王超超; 王娜; 赵迪; 田童飞; 长孙强强; 袁灿
2019-09-06
专利权人陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
公开日期2019-09-06
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提供的一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构,包括台状波导结构,所述台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部的表面形成有掩膜层;该电流限制结构的台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部为掩膜层结构,缩小了两层电流限制层之间的泄露通道,从而提高了电流注入效率。进一步的,在台状波导结构的两侧形成的P/N/P型磷化铟形成电流限制层,使得台状脊波导结构两侧会形成高耸的漏斗形貌,也同时提高了激光器的电流注入效率,最终提高激光器的可靠性及常高温功率特性。
其他摘要本实用新型提供的一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构,包括台状波导结构,所述台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部的表面形成有掩膜层;该电流限制结构的台状波导结构的顶部为直柱状结构,且其顶部为掩膜层结构,缩小了两层电流限制层之间的泄露通道,从而提高了电流注入效率。进一步的,在台状波导结构的两侧形成的P/N/P型磷化铟形成电流限制层,使得台状脊波导结构两侧会形成高耸的漏斗形貌,也同时提高了激光器的电流注入效率,最终提高激光器的可靠性及常高温功率特性。
申请日期2019-01-22
专利号CN209358061U
专利状态授权
申请号CN201920110028.9
公开(公告)号CN209358061U
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/34 | H01S5/343 | H01S5/12
专利代理人徐文权
代理机构西安通大专利代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49475
专题半导体激光器专利数据库
作者单位陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
推荐引用方式
GB/T 7714
穆瑶,李马惠,燕聪慧,等. 一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构. CN209358061U[P]. 2019-09-06.
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