一种小发散角激光器及其制备工艺

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	一种小发散角激光器及其制备工艺
其他题名	一种小发散角激光器及其制备工艺
	李马惠; 潘彦廷; 师宇晨; 王兴; 穆瑶; 卫思逸; 张海超
	2019-06-07
专利权人	陕西源杰半导体技术有限公司
公开日期	2019-06-07
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种小发散角激光器及其制备工艺，包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有发散角改善层；衍射光栅层和发散角改善层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，发散角改善层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层，通过改变出光端面附件的材料而来改善发散角，由于其并不改变激光器原有结构且不存在光波导形貌与耦光控制问题，因此实现的工艺简单，可接受的容错范围大，且不改变原有激光器本身的特性。
其他摘要	本发明公开了一种小发散角激光器及其制备工艺，包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有发散角改善层；衍射光栅层和发散角改善层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，发散角改善层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层，通过改变出光端面附件的材料而来改善发散角，由于其并不改变激光器原有结构且不存在光波导形貌与耦光控制问题，因此实现的工艺简单，可接受的容错范围大，且不改变原有激光器本身的特性。
申请日期	2017-06-12
专利号	CN107154580B
专利状态	授权
申请号	CN201710439725.4
公开（公告）号	CN107154580B
IPC 分类号	H01S5/028
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49401
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陕西源杰半导体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李马惠,潘彦廷,师宇晨,等. 一种小发散角激光器及其制备工艺. CN107154580B[P]. 2019-06-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107154580B.PDF（707KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文