Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 | |
其他题名 | 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 |
王东博; 刘舒曼; 贾志伟; 刘峰奇; 王占国 | |
2019-05-17 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2019-05-17 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括:一衬底(01);一下波导包层(02);一下限制层(03);一级联结构有源区(04);一上限制层(05);一上波导包层(06);一接触层(07);一横向分别限制层(08);一半绝缘InP层(09);一SiO2钝化层(10);一正面电极(11);一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成,其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面,在双沟中填入半绝缘InP,为有源区提供横向散热通道;正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入,背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括:一衬底(01);一下波导包层(02);一下限制层(03);一级联结构有源区(04);一上限制层(05);一上波导包层(06);一接触层(07);一横向分别限制层(08);一半绝缘InP层(09);一SiO2钝化层(10);一正面电极(11);一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成,其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面,在双沟中填入半绝缘InP,为有源区提供横向散热通道;正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入,背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。 |
申请日期 | 2016-10-31 |
专利号 | CN106451074B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201610930814.4 |
公开(公告)号 | CN106451074B |
IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/223 | H01S5/40 |
专利代理人 | 任岩 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49391 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王东博,刘舒曼,贾志伟,等. 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器. CN106451074B[P]. 2019-05-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106451074B.PDF(537KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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