OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器
其他题名一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器
王东博; 刘舒曼; 贾志伟; 刘峰奇; 王占国
2019-05-17
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2019-05-17
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括:一衬底(01);一下波导包层(02);一下限制层(03);一级联结构有源区(04);一上限制层(05);一上波导包层(06);一接触层(07);一横向分别限制层(08);一半绝缘InP层(09);一SiO2钝化层(10);一正面电极(11);一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成,其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面,在双沟中填入半绝缘InP,为有源区提供横向散热通道;正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入,背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。
其他摘要本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括:一衬底(01);一下波导包层(02);一下限制层(03);一级联结构有源区(04);一上限制层(05);一上波导包层(06);一接触层(07);一横向分别限制层(08);一半绝缘InP层(09);一SiO2钝化层(10);一正面电极(11);一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成,其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面,在双沟中填入半绝缘InP,为有源区提供横向散热通道;正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入,背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。
申请日期2016-10-31
专利号CN106451074B
专利状态授权
申请号CN201610930814.4
公开(公告)号CN106451074B
IPC 分类号H01S5/323 | H01S5/223 | H01S5/40
专利代理人任岩
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49390
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王东博,刘舒曼,贾志伟,等. 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器. CN106451074B[P]. 2019-05-17.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN106451074B.PDF(537KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[王东博]的文章
[刘舒曼]的文章
[贾志伟]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[王东博]的文章
[刘舒曼]的文章
[贾志伟]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[王东博]的文章
[刘舒曼]的文章
[贾志伟]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。