一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法

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	一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法
其他题名	一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法
	邹永刚; 田锟; 范杰; 马晓辉; 王海珠; 海一娜; 石琳琳; 徐莉
	2019-03-19
专利权人	长春理工大学
公开日期	2019-03-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法，其包括制作在同一外延片上的多个激光器单管，每个激光器单管包括自上而下依次分布的上电极、衬底、中间层、二阶光栅层和下电极，中间层包括自上而下依次设置的缓冲层、过渡层、n盖层、n包层、有源层、p包层和p盖层，其中，二阶光栅层设置在p盖层上远离有源层的一侧，二阶光栅层的光栅脊为曲线，且相邻两个激光器单管之间的光栅脊一一对应连接。本发明不仅扩大了腔内激光的谐振范围，而且相邻两个激光器单管之间的光栅脊一一对应连接，其实现了相邻激光器单管之间的光子互注入，以及提升了激光增益介质利用率的目的，从而有利于实现激光器的高功率、高光束质量的工作输出。
其他摘要	本发明公开了一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法，其包括制作在同一外延片上的多个激光器单管，每个激光器单管包括自上而下依次分布的上电极、衬底、中间层、二阶光栅层和下电极，中间层包括自上而下依次设置的缓冲层、过渡层、n盖层、n包层、有源层、p包层和p盖层，其中，二阶光栅层设置在p盖层上远离有源层的一侧，二阶光栅层的光栅脊为曲线，且相邻两个激光器单管之间的光栅脊一一对应连接。本发明不仅扩大了腔内激光的谐振范围，而且相邻两个激光器单管之间的光栅脊一一对应连接，其实现了相邻激光器单管之间的光子互注入，以及提升了激光增益介质利用率的目的，从而有利于实现激光器的高功率、高光束质量的工作输出。
申请日期	2016-11-21
专利号	CN106356714B
专利状态	授权
申请号	CN201611039144.3
公开（公告）号	CN106356714B
IPC 分类号	H01S5/18
专利代理人	郎坚
代理机构	北京市诚辉律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49373
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	邹永刚,田锟,范杰,等. 一种侧向耦合面发射激光器及其制造方法. CN106356714B[P]. 2019-03-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106356714B.PDF（442KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文