Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 | |
| 其他题名 | 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器 |
| 刘震; 王嘉琪; 于红艳; 周旭亮; 李召松; 王圩; 潘教青 | |
| 2018-12-18 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-12-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、GaAs隧道结等，通过在GaAs隧道结中引入超薄的重掺杂n型层与重掺杂p型层，结合量子阱有源区层结构，在保证器件稳定性获得高功率的同时实现了宽光谱的激射；同时，引入p型栅电极，更进一步增强了器件的可控性。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、GaAs隧道结等，通过在GaAs隧道结中引入超薄的重掺杂n型层与重掺杂p型层，结合量子阱有源区层结构，在保证器件稳定性获得高功率的同时实现了宽光谱的激射；同时，引入p型栅电极，更进一步增强了器件的可控性。 |
| 申请日期 | 2016-11-04 |
| 专利号 | CN106356716B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201610973949.9 |
| 公开（公告）号 | CN106356716B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49341 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘震,王嘉琪,于红艳,等. 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器. CN106356716B[P]. 2018-12-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106356716B.PDF（1150KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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