Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 少模面发射激光器 | |
| 其他题名 | 少模面发射激光器 |
| 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华 | |
| 2018-12-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了少模面发射激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一n型分布布拉格反射器(DBR)，该n型DBR制作在衬底上；一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上；一有源层，该有源层制作在n型限制层上；一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上；一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上；一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用；一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式；一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了少模面发射激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一n型分布布拉格反射器(DBR)，该n型DBR制作在衬底上；一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上；一有源层，该有源层制作在n型限制层上；一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上；一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上；一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用；一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式；一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。 |
| 申请日期 | 2015-12-29 |
| 专利号 | CN105428999B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201511006107.8 |
| 公开（公告）号 | CN105428999B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/065 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49334 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建国,于丽娟,苏亚嫚,等. 少模面发射激光器. CN105428999B[P]. 2018-12-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105428999B.PDF（446KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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