GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法

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	GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法
其他题名	GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法
	舒斌; 范林西; 吴继宝; 陈景明; 张鹤鸣; 宣荣喜; 胡辉勇; 宋建军; 王斌
	2018-09-21
专利权人	西安电子科技大学
公开日期	2018-09-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种GeSn多量子阱金属腔激光器，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge0.88Sn0.12缓冲层，有源层采用应变补偿量子阱结构，Ge0.88Sn0.12缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层和氮化硅薄膜表面上涂有Ag金属层。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整Sn组分的大小改变应力大小以实现锗锡光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率和光稳定性，加工简单、方便。
其他摘要	本发明公开了一种GeSn多量子阱金属腔激光器，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge0.88Sn0.12缓冲层，有源层采用应变补偿量子阱结构，Ge0.88Sn0.12缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层和氮化硅薄膜表面上涂有Ag金属层。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整Sn组分的大小改变应力大小以实现锗锡光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率和光稳定性，加工简单、方便。
申请日期	2016
专利号	CN105610047B
专利状态	授权
申请号	CN201610029805.8
公开（公告）号	CN105610047B
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/30 \| H01S5/34
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49322
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	舒斌,范林西,吴继宝,等. GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法. CN105610047B[P]. 2018-09-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105610047B.PDF（1430KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文