Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
注入调制器 | |
其他题名 | 注入调制器 |
斯特凡·梅斯特; 奥斯·阿尔-萨阿迪; 塞巴斯蒂安·库皮贾伊; 克里斯多佛·泰斯; 李翰尧; 拉尔斯·齐默尔曼; 大卫·斯托拉雷克 | |
2018-04-10 | |
专利权人 | 柏林工业大学 |
公开日期 | 2018-04-10 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10),所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30),所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110,210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移,并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中,其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明,所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时,所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上,并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中,每个半导体部分(110,210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸,并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。 |
其他摘要 | 本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10),所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30),所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110,210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移,并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中,其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明,所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时,所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上,并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中,每个半导体部分(110,210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸,并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。 |
申请日期 | 2015-09-21 |
专利号 | CN106716239B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201580049944.0 |
公开(公告)号 | CN106716239B |
IPC 分类号 | G02F1/225 | G02F1/025 | H04B10/54 | H01S5/026 | H04B10/548 |
专利代理人 | 汤慧华 | 郑霞 |
代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49287 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 柏林工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯特凡·梅斯特,奥斯·阿尔-萨阿迪,塞巴斯蒂安·库皮贾伊,等. 注入调制器. CN106716239B[P]. 2018-04-10. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106716239B.PDF(2059KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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