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注入调制器
其他题名注入调制器
斯特凡·梅斯特; 奥斯·阿尔-萨阿迪; 塞巴斯蒂安·库皮贾伊; 克里斯多佛·泰斯; 李翰尧; 拉尔斯·齐默尔曼; 大卫·斯托拉雷克
2018-04-10
专利权人柏林工业大学
公开日期2018-04-10
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10),所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30),所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110,210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移,并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中,其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明,所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时,所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上,并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中,每个半导体部分(110,210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸,并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
其他摘要本发明尤其涉及一种用于调制光辐射(P)的注入调制器(10),所述注入调制器包括光波导(20)和二极管结构(30),所述二极管结构具有至少两个p掺杂半导体部分(110)、至少两个n掺杂半导体部分(210)以及在所述p掺杂半导体部分与所述n掺杂半导体部分(110,210)之间的至少一个轻掺杂或未掺杂中间部分(300)。所述p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的纵向方向(L)上观察时——相对于所述n掺杂半导体部分(210)而偏移,并且所述二极管结构(30)被安排在所述波导(20)的无谐振部分中,其中——不考虑波导衰减——在所述波导(20)中引导的所述辐射(P)的辐射强度恒定。根据本发明,所述p掺杂半导体部分(110)位于所述波导(20)的一侧上——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上并且相对于波导中心而观察时,所述n掺杂半导体部分(210)位于所述波导(20)的另一侧上,并且所述中间部分(300)位于所述波导中心的区域中,每个半导体部分(110,210)在所述波导(20)的所述波导中心的方向上相对于所述波导纵向方向(L)横向地延伸,并且p掺杂半导体部分(110)——当在所述波导(20)的所述纵向方向(L)上观察时——不与任何n掺杂半导体部分(210)重叠。
申请日期2015-09-21
专利号CN106716239B
专利状态授权
申请号CN201580049944.0
公开(公告)号CN106716239B
IPC 分类号G02F1/225 | G02F1/025 | H04B10/54 | H01S5/026 | H04B10/548
专利代理人汤慧华 | 郑霞
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49287
专题半导体激光器专利数据库
作者单位柏林工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
斯特凡·梅斯特,奥斯·阿尔-萨阿迪,塞巴斯蒂安·库皮贾伊,等. 注入调制器. CN106716239B[P]. 2018-04-10.
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