Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片 | |
| 其他题名 | 一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片 |
| 王兴; 潘彦廷; 李马惠; 师宇晨; 张海超; 罗俊岗 | |
| 2018-01-23 | |
| 专利权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 公开日期 | 2018-01-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片，包括第一磷化铟层，第一磷化铟层上沿水平方向依次设置有前端光波导区、有源增益区和后端光波导区，有源增益区包括有源区和设置在有源区上的第二磷化铟层，前端光波导区和后端光波导区均包括自上而下依次设置的保护层、光通道层和缓冲层，第一磷化铟层的长度为微米200微米～300微米，本实用新型在激光器芯片两端形成两延伸区域，此延伸区域让25Gb/s激光器芯片与原有的单区结构形成新型的三区结构，从而做到增加25Gb/s激光器芯片长度至200微米以上，不受限于划裂的物理限制。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片，包括第一磷化铟层，第一磷化铟层上沿水平方向依次设置有前端光波导区、有源增益区和后端光波导区，有源增益区包括有源区和设置在有源区上的第二磷化铟层，前端光波导区和后端光波导区均包括自上而下依次设置的保护层、光通道层和缓冲层，第一磷化铟层的长度为微米200微米～300微米，本实用新型在激光器芯片两端形成两延伸区域，此延伸区域让25Gb/s激光器芯片与原有的单区结构形成新型的三区结构，从而做到增加25Gb/s激光器芯片长度至200微米以上，不受限于划裂的物理限制。 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 专利号 | CN206922190U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201720677718.3 |
| 公开（公告）号 | CN206922190U |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 徐文权 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49264 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王兴,潘彦廷,李马惠,等. 一种便于切割的25Gb/s高速激光器芯片. CN206922190U[P]. 2018-01-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN206922190U.PDF（95KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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