Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
可调谐SOI激光器 | |
其他题名 | 可调谐SOI激光器 |
A.G.里克曼; A.齐尔基 | |
2017-09-19 | |
专利权人 | 亨通洛克利科技有限公司 |
公开日期 | 2017-09-19 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2);以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3);其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(31)和第二分布式布拉格反射器(32);至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱;并且其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)处。耦合的腔允许经由游标效应改进模式选择性,并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快波长调谐。另外的相位调谐元件(53)可以补偿激光器的热波长漂移。 |
其他摘要 | 一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2);以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3);其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(31)和第二分布式布拉格反射器(32);至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱;并且其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)处。耦合的腔允许经由游标效应改进模式选择性,并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快波长调谐。另外的相位调谐元件(53)可以补偿激光器的热波长漂移。 |
申请日期 | 2015-01-19 |
专利号 | CN106068586B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201580002672.9 |
公开(公告)号 | CN106068586B |
IPC 分类号 | H01S5/14 | H01S5/028 | H01S5/12 | H01S3/1055 | H01S3/106 |
专利代理人 | 郑冀之 | 张懿 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49239 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 亨通洛克利科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | A.G.里克曼,A.齐尔基. 可调谐SOI激光器. CN106068586B[P]. 2017-09-19. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106068586B.PDF(1283KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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