OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
可调谐SOI激光器
其他题名可调谐SOI激光器
A.G.里克曼; A.齐尔基
2017-09-19
专利权人亨通洛克利科技有限公司
公开日期2017-09-19
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2);以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3);其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(31)和第二分布式布拉格反射器(32);至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱;并且其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)处。耦合的腔允许经由游标效应改进模式选择性,并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快波长调谐。另外的相位调谐元件(53)可以补偿激光器的热波长漂移。
其他摘要一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2);以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3);其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(31)和第二分布式布拉格反射器(32);至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱;并且其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)处。耦合的腔允许经由游标效应改进模式选择性,并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快波长调谐。另外的相位调谐元件(53)可以补偿激光器的热波长漂移。
申请日期2015-01-19
专利号CN106068586B
专利状态授权
申请号CN201580002672.9
公开(公告)号CN106068586B
IPC 分类号H01S5/14 | H01S5/028 | H01S5/12 | H01S3/1055 | H01S3/106
专利代理人郑冀之 | 张懿
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49239
专题半导体激光器专利数据库
作者单位亨通洛克利科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
A.G.里克曼,A.齐尔基. 可调谐SOI激光器. CN106068586B[P]. 2017-09-19.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN106068586B.PDF(1283KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[A.G.里克曼]的文章
[A.齐尔基]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[A.G.里克曼]的文章
[A.齐尔基]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[A.G.里克曼]的文章
[A.齐尔基]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。