Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 | |
| 其他题名 | 铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 |
| 杨涛; 季海铭 | |
| 2010-09-08 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-09-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。 |
| 其他摘要 | 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部分；步骤5：升温并进行原位退火；步骤6：以高于铟砷量子点生长温度的条件，在盖层初始部分上生长高温盖层，完成铟砷/镓砷量子点材料有源区的制作。 |
| 申请日期 | 2008-03-12 |
| 专利号 | CN101533768B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200810101760 |
| 公开（公告）号 | CN101533768B |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L21/20 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49232 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨涛,季海铭. 铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法. CN101533768B[P]. 2010-09-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101533768B.PDF（231KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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