变周期倾斜光栅激光器及制备方法

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	变周期倾斜光栅激光器及制备方法
其他题名	变周期倾斜光栅激光器及制备方法
	郑婉华; 刘云; 渠红伟; 刘磊; 王宇飞
	2017-10-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-10-24
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括：在一衬底上依次生长n‑型限制层、n‑型波导层、有源层、p‑型波导层、p‑型限制层、p‑型接触层；在p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层上制作出倾斜两光栅条，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；将衬底减薄抛光；在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；退火，解理成矩形的芯片，完成制备。
其他摘要	一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括：在一衬底上依次生长n‑型限制层、n‑型波导层、有源层、p‑型波导层、p‑型限制层、p‑型接触层；在p‑型接触层、p‑型限制层及p‑型波导层上制作出倾斜两光栅条，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；将衬底减薄抛光；在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；退火，解理成矩形的芯片，完成制备。
申请日期	2015-07-06
专利号	CN104917052B
专利状态	授权
申请号	CN201510388715
公开（公告）号	CN104917052B
IPC 分类号	H01S5/125
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49229
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,刘云,渠红伟,等. 变周期倾斜光栅激光器及制备方法. CN104917052B[P]. 2017-10-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104917052B.PDF（166KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文