Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延材料的结构 | |
| 其他题名 | 一种DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延材料的结构 |
| 元金山; 张富文; 李向文 | |
| 2004-03-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2004-03-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明属于半导体光电子材料制备领域，涉及一种对DH-Ga1-XAlXAsLED液相外延材料结构的改进。它包括衬底(4)、限定层(3)、发光层(2)、窗口层(1)，统一考虑发光效率和制管工艺成品率，发光效率高、液相外延工艺又能实现、还为后道制管工艺创造有利条件、保证了成品率。本发明生产的外延片结构表面光亮，凸状畸变明显变小，经超声打孔技术测量，其发光强度一般为10-12mcd/20mA，制管成品率达70％。 |
| 其他摘要 | 本发明属于半导体光电子材料制备领域，涉及一种对DH-Ga1-XAlXAsLED液相外延材料结构的改进。它包括衬底(4)、限定层(3)、发光层(2)、窗口层(1)，统一考虑发光效率和制管工艺成品率，发光效率高、液相外延工艺又能实现、还为后道制管工艺创造有利条件、保证了成品率。本发明生产的外延片结构表面光亮，凸状畸变明显变小，经超声打孔技术测量，其发光强度一般为10-12mcd/20mA，制管成品率达70％。 |
| 申请日期 | 2000-02-29 |
| 专利号 | CN1141741C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN00103908.3 |
| 公开（公告）号 | CN1141741C |
| IPC 分类号 | H01L33/02 | H01L33/30 | H01S5/00 | H05B33/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 梁爱荣 |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49194 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元金山,张富文,李向文. 一种DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延材料的结构. CN1141741C[P]. 2004-03-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1141741C.PDF（213KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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