短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法

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	短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法
其他题名	短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法
	江宇超; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 郭万红; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国
	2011-12-07
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-12-07
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
其他摘要	一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
申请日期	2010-07-14
专利号	CN101916965B
专利状态	失效
申请号	CN201010231194
公开（公告）号	CN101916965B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49169
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	江宇超,刘俊岐,陆全勇,等. 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法. CN101916965B[P]. 2011-12-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101916965B.PDF（497KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文