OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
半导体激光器测试装置(远场)
其他题名半导体激光器测试装置(远场)
刘兴胜; 沈泽南; 刘晖
2015-11-18
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2015-11-18
授权国家中国
专利类型外观设计
摘要本外观设计产品的名称:半导体激光器测试装置(远场)。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于半导体激光器远场特性测试。3.本外观设计产品的设计要点:结构。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。
其他摘要本外观设计产品的名称:半导体激光器测试装置(远场)。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于半导体激光器远场特性测试。3.本外观设计产品的设计要点:结构。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。
申请日期2015-06-09
专利号CN303451284S
专利状态授权
申请号CN201530186710.3
公开(公告)号CN303451284S
IPC 分类号-
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48950
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,沈泽南,刘晖. 半导体激光器测试装置(远场). CN303451284S[P]. 2015-11-18.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN303451284S.PDF(163KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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