具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法

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	具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法
其他题名	具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法
	朴容助; 河镜虎; 田宪秀; 朴时贤
	2006-03-15
专利权人	三星电机株式会社
公开日期	2006-03-15
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	提供了GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法。GaN系列表面发射激光二极管包含：有源层；有源层的相对侧面上的p型和n型材料层；形成在n型材料层上的第一分布布喇枚反射器(DBR)；通过n型材料层与有源层连接的n型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压；形成在p型材料层上的隔离层，在与第一DBR层对准的部分中具有激光输出窗口，隔离层足够厚，以便使空穴能有效地迁移到有源层的中心部分；形成在激光输出窗口上的第二DBR层；和通过p型材料层与有源层连接的p型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压。成型激光输出窗口使得可以补偿由隔离层的形成而导致的激光束的衍射。
其他摘要	提供了GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法。GaN系列表面发射激光二极管包含：有源层；有源层的相对侧面上的p型和n型材料层；形成在n型材料层上的第一分布布喇枚反射器(DBR)；通过n型材料层与有源层连接的n型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压；形成在p型材料层上的隔离层，在与第一DBR层对准的部分中具有激光输出窗口，隔离层足够厚，以便使空穴能有效地迁移到有源层的中心部分；形成在激光输出窗口上的第二DBR层；和通过p型材料层与有源层连接的p型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压。成型激光输出窗口使得可以补偿由隔离层的形成而导致的激光束的衍射。
申请日期	2002-01-31
专利号	CN1245789C
专利状态	失效
申请号	CN0210340X
公开（公告）号	CN1245789C
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/10 \| H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	王永刚
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48949
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三星电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	朴容助,河镜虎,田宪秀,等. 具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法. CN1245789C[P]. 2006-03-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1245789C.PDF（1465KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文