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激光二极管及其生产线
其他题名激光二极管及其生产线
谌红艳
2008-12-31
专利权人谌红艳
公开日期2008-12-31
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型涉及一种激光二极管及其生产线。本实用新型要解决的技术问题是如何克服现有技术偏见,提供一种激光二极管及其生产线。本实用新型激光二极管生产线的特征在于:包括冲切单元,其冲刀外径略大于待加工激光二极管的保护罩的外径。本实用新型激光二极管的特征在于:含定位凹槽的外缘部分被冲切掉,保护罩与基座外径大致相当,呈柱状。本实用新型广泛适用于激光二极管的相关生产、应用领域。
其他摘要本实用新型涉及一种激光二极管及其生产线。本实用新型要解决的技术问题是如何克服现有技术偏见,提供一种激光二极管及其生产线。本实用新型激光二极管生产线的特征在于:包括冲切单元,其冲刀外径略大于待加工激光二极管的保护罩的外径。本实用新型激光二极管的特征在于:含定位凹槽的外缘部分被冲切掉,保护罩与基座外径大致相当,呈柱状。本实用新型广泛适用于激光二极管的相关生产、应用领域。
申请日期2008-01-14
专利号CN201174501Y
专利状态失效
申请号CN200820042849.5
公开(公告)号CN201174501Y
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/022
专利代理人温旭
代理机构广州三环专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48919
专题半导体激光器专利数据库
作者单位谌红艳
推荐引用方式
GB/T 7714
谌红艳. 激光二极管及其生产线. CN201174501Y[P]. 2008-12-31.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN201174501Y.PDF(272KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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