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半导体激光器热弛豫时间的测试装置及其测量方法
其他题名半导体激光器热弛豫时间的测试装置及其测量方法
陈晨; 辛国锋; 方祖捷
2008-04-23
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2008-04-23
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种半导体激光器的热弛豫时间的测量装置及其测试方法,该装置的构成是:一脉冲电源,该脉冲电源的输出端接半导体激光器,沿该半导体激光器的激光前进方向依次是准直系统和光谱仪,光电倍增管位于所述的光谱仪的输出狭缝,光电倍增管的输出端接Boxcar积分器的输入端,所述的脉冲电源的同步输出端经过延时电路连接Boxcar积分器的触发输入端,计算机输入端数据采集卡连接Boxcar积分器输出端。本发明的优点是:不需测试激光器阈值电流和斜率效率随结温的变化关系;装置造价低,容易搭建,方法简单、稳定性好。
其他摘要一种半导体激光器的热弛豫时间的测量装置及其测试方法,该装置的构成是:一脉冲电源,该脉冲电源的输出端接半导体激光器,沿该半导体激光器的激光前进方向依次是准直系统和光谱仪,光电倍增管位于所述的光谱仪的输出狭缝,光电倍增管的输出端接Boxcar积分器的输入端,所述的脉冲电源的同步输出端经过延时电路连接Boxcar积分器的触发输入端,计算机输入端数据采集卡连接Boxcar积分器输出端。本发明的优点是:不需测试激光器阈值电流和斜率效率随结温的变化关系;装置造价低,容易搭建,方法简单、稳定性好。
申请日期2005-06-08
专利号CN100383541C
专利状态失效
申请号CN200510026554.X
公开(公告)号CN100383541C
IPC 分类号G01R31/26 | H01L21/66
专利代理人张泽纯
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48861
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈晨,辛国锋,方祖捷. 半导体激光器热弛豫时间的测试装置及其测量方法. CN100383541C[P]. 2008-04-23.
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