具有组合式散热基板的半导体激光器

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	具有组合式散热基板的半导体激光器
其他题名	具有组合式散热基板的半导体激光器
	张耐; 林喆; 杨炳雄
	2008-09-10
专利权人	大连艾科科技开发有限公司
公开日期	2008-09-10
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开一种具有组合式散热基板的半导体激光器，有热电致冷器(1)，在热电致冷器(1)上置有散热基板(2)，半导体激光器芯片载体(3)置于散热基板(2)上，所述散热基板(2)由小基板(4)、大基板(5)相接而成，所述的半导体激光器芯片载体(3)位于小基板(4)上。小基板可以采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料，而大基板则可采用成本低、易加工、与钨铜材料热膨胀系数相近的铁钴镍合金材料。半导体激光器芯片所产生的热量不但可通过小基板(钨铜材料)迅速散出，保证半导体激光器芯片载体、小基板及大基板在环境温度变化时胀缩一致，同时可大大降低制造成本，同时由于铁钴镍合金材料的可加工性，提高了产品成品率，降低了加工成本。
其他摘要	本实用新型公开一种具有组合式散热基板的半导体激光器，有热电致冷器(1)，在热电致冷器(1)上置有散热基板(2)，半导体激光器芯片载体(3)置于散热基板(2)上，所述散热基板(2)由小基板(4)、大基板(5)相接而成，所述的半导体激光器芯片载体(3)位于小基板(4)上。小基板可以采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料，而大基板则可采用成本低、易加工、与钨铜材料热膨胀系数相近的铁钴镍合金材料。半导体激光器芯片所产生的热量不但可通过小基板(钨铜材料)迅速散出，保证半导体激光器芯片载体、小基板及大基板在环境温度变化时胀缩一致，同时可大大降低制造成本，同时由于铁钴镍合金材料的可加工性，提高了产品成品率，降低了加工成本。
申请日期	2007-07-02
专利号	CN201113221Y
专利状态	失效
申请号	CN200720013025.0
公开（公告）号	CN201113221Y
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	闪红霞
代理机构	大连非凡专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48711
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	大连艾科科技开发有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张耐,林喆,杨炳雄. 具有组合式散热基板的半导体激光器. CN201113221Y[P]. 2008-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN201113221Y.PDF（195KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文