Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 多波束半导体激光装置 | |
| 其他题名 | 多波束半导体激光装置 |
| 仙庭靖久; 神津孝一; 臼田周一; 反町进; 原英树 | |
| 2017-06-13 | |
| 专利权人 | 优志旺光半导体有限公司 |
| 公开日期 | 2017-06-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供多波束半导体激光装置，其抑制多波束半导体激光装置的波束间的焊料彼此的短路不良。激光芯片（11）的表面电极（15）与基座（10）的基座电极（27）通过熔融接合焊料（18）与第二Au镀层（17）而电连接。第二Au镀层（17）在形成在隆起部（20）的两侧的p式第二包覆层（25）上的一对凹槽（21）的一方的上部与焊料（18）接触，并且，第二Au镀层（17）的宽度比焊料（18）的宽度窄，因此隆起部（20）与焊料（18）为在平面上不重合，在隆起部（20）与基座（10）之间具有间隙的结构。 |
| 其他摘要 | 本发明提供多波束半导体激光装置，其抑制多波束半导体激光装置的波束间的焊料彼此的短路不良。激光芯片（11）的表面电极（15）与基座（10）的基座电极（27）通过熔融接合焊料（18）与第二Au镀层（17）而电连接。第二Au镀层（17）在形成在隆起部（20）的两侧的p式第二包覆层（25）上的一对凹槽（21）的一方的上部与焊料（18）接触，并且，第二Au镀层（17）的宽度比焊料（18）的宽度窄，因此隆起部（20）与焊料（18）为在平面上不重合，在隆起部（20）与基座（10）之间具有间隙的结构。 |
| 申请日期 | 2013-05-31 |
| 专利号 | CN103545708B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201310211067.5 |
| 公开（公告）号 | CN103545708B |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/40 |
| 专利代理人 | 张敬强 | 严星铁 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48706 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 优志旺光半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仙庭靖久,神津孝一,臼田周一,等. 多波束半导体激光装置. CN103545708B[P]. 2017-06-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103545708B.PDF（283KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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