提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法

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	提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法
其他题名	提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法
	王锐; 孙金超; 仇兆忠
	2013-12-11
专利权人	哈尔滨工业大学
公开日期	2013-12-11
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法，它涉及Ca12Al14O33单晶的生长方法。本发明要解决现有生长Ca12Al14O33单晶存在对铱坩锅的腐蚀比较严重，透光性大幅度的下降，晶格的畸变和开裂，尺寸限制大等技术问题。方法：一、分别称取CaO和Al2O3；二、然后混合研磨均匀，压片，放入刚玉坩埚中，恒温，降温至室温；三、重复步骤二操作2～3次；四、采用提拉法生长晶体，即得到Ca12Al14O33单晶。在光学方面由于C12A7材料的独特结构，C12A7掺杂材料在蓝光发射和白光的调谐方面可以用于半导体激光器材料。
其他摘要	提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法，它涉及Ca12Al14O33单晶的生长方法。本发明要解决现有生长Ca12Al14O33单晶存在对铱坩锅的腐蚀比较严重，透光性大幅度的下降，晶格的畸变和开裂，尺寸限制大等技术问题。方法：一、分别称取CaO和Al2O3；二、然后混合研磨均匀，压片，放入刚玉坩埚中，恒温，降温至室温；三、重复步骤二操作2～3次；四、采用提拉法生长晶体，即得到Ca12Al14O33单晶。在光学方面由于C12A7材料的独特结构，C12A7掺杂材料在蓝光发射和白光的调谐方面可以用于半导体激光器材料。
申请日期	2011-11-11
专利号	CN102383186B
专利状态	失效
申请号	CN201110357437.7
公开（公告）号	CN102383186B
IPC 分类号	C30B15/20 \| C30B29/22
专利代理人	韩末洙
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48512
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	哈尔滨工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王锐,孙金超,仇兆忠. 提拉法在非化学计量比熔体中生长Ca12Al14O33单晶的方法. CN102383186B[P]. 2013-12-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102383186B.PDF（904KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文