用于高功率半导体激光器的液体制冷片

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	用于高功率半导体激光器的液体制冷片
其他题名	用于高功率半导体激光器的液体制冷片
	梁雪杰; 宗恒军; 王警卫; 刘亚龙; 刘兴胜
	2015-05-20
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2015-05-20
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提出了一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，尤其是一种宏通道型液体制冷片。制冷片主体为片状结构，上设有通水区和芯片安装区，芯片安装区位于液体制冷片主体的一端，为激光芯片安装的位置；通水区位于制冷片主体上靠近芯片安装区的位置；制冷片主体的通水区分为相互对应的A面和B面，A面和B面分别位于片状制冷片主体的上表面和下表面，通水区的A面设置有多个出水柱孔C，B面设置有多个进水柱孔D；A面的出水柱孔C与B面的进水柱孔D连通。本实用新型结构简单没有微通道的复杂结构，采用的是通孔，对制冷液颗粒度要求不高且液体制冷通道被腐蚀的风险较低，在使用过程中可以提高整个半导体激光器器件的可靠性。
其他摘要	本实用新型提出了一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，尤其是一种宏通道型液体制冷片。制冷片主体为片状结构，上设有通水区和芯片安装区，芯片安装区位于液体制冷片主体的一端，为激光芯片安装的位置；通水区位于制冷片主体上靠近芯片安装区的位置；制冷片主体的通水区分为相互对应的A面和B面，A面和B面分别位于片状制冷片主体的上表面和下表面，通水区的A面设置有多个出水柱孔C，B面设置有多个进水柱孔D；A面的出水柱孔C与B面的进水柱孔D连通。本实用新型结构简单没有微通道的复杂结构，采用的是通孔，对制冷液颗粒度要求不高且液体制冷通道被腐蚀的风险较低，在使用过程中可以提高整个半导体激光器器件的可靠性。
申请日期	2014-12-31
专利号	CN204349208U
专利状态	授权
申请号	CN201420862940.7
公开（公告）号	CN204349208U
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48425
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	梁雪杰,宗恒军,王警卫,等. 用于高功率半导体激光器的液体制冷片. CN204349208U[P]. 2015-05-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204349208U.PDF（780KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文