Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王科 ; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
| |
| 2011-10-26 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-10-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。 |
| 其他摘要 | 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。 |
| 申请日期 | 2008-09-03 |
| 专利号 | CN101667716B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200810119582.X |
| 公开（公告）号 | CN101667716B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 王波波 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48383 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,郑婉华,刘安金,等. 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN101667716B[P]. 2011-10-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101667716B.PDF（2000KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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