Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication | |
其他题名 | Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication |
JIANG, WENBIN; HUANG, RONG-TING; LEBBY, MICHAEL S. | |
2000-02-01 | |
专利权人 | FINISAR CORPORATION |
公开日期 | 2000-02-01 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A VCSEL for high power single mode operation and method of fabrication including a substrate element, a first stack of distributed Bragg reflectors disposed on a surface of the substrate element, an active region lattice matched to a surface of the first stack of distributed Bragg reflectors, and a second stack of distributed Bragg reflectors lattice matched to a surface of the active region. The VCSEL structure includes an isolation layer formed on the second stack of distributed Bragg reflectors. The isolation layer is formed of a dielectric material or insulating semiconductor material having an index of refraction greater than the first and second stacks of distributed Bragg reflectors and thereby defining an anti-guiding VCSEL structure. An electrical contact is coupled to a surface of the second stack of distributed Bragg reflectors and an electrical contact is positioned a surface of the substrate element. |
其他摘要 | 一种用于高功率单模操作的VCSEL及其制造方法,包括衬底元件,设置在衬底元件表面上的第一叠层布拉格反射器,与第一叠层布拉格反射器叠层表面匹配的有源区晶格,第二叠层分布式布拉格反射器晶格与有源区表面相匹配。 VCSEL结构包括形成在第二堆分布式布拉格反射器上的隔离层。隔离层由介电材料或绝缘半导体材料形成,其折射率大于第一和第二叠层布拉格反射器的堆叠,从而限定了反导VCSEL结构。电触点耦合到第二叠层布拉格反射器的表面,并且电触点位于基板元件的表面。 |
申请日期 | 1997-11-04 |
专利号 | US6021147 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US08/963623 |
公开(公告)号 | US6021147 |
IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S3/085 |
专利代理人 | - |
代理机构 | PARSONS, EUGENE A. KOCH, WILLIAM E. |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48375 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FINISAR CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | JIANG, WENBIN,HUANG, RONG-TING,LEBBY, MICHAEL S.. Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication. US6021147[P]. 2000-02-01. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US6021147.PDF(70KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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