Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法 |
| 常慧增; 张世祖 | |
| 2011-07-20 | |
| 专利权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，主要采用了金刚石刀具在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度，再将预留底面减薄的方法制作出符合要求的倾斜端面。该方法简单易实施，成本低、加工效率高、一致性好，用该种技术制作的氮化铝陶瓷片进行倾斜端面与平面实现电极互联后最薄可制作出厚度小于100μm的微型载体，可应用于器件或组件的高密度封装，并进而采用可插拔接口实现电驱动或信息传输。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，主要采用了金刚石刀具在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度，再将预留底面减薄的方法制作出符合要求的倾斜端面。该方法简单易实施，成本低、加工效率高、一致性好，用该种技术制作的氮化铝陶瓷片进行倾斜端面与平面实现电极互联后最薄可制作出厚度小于100μm的微型载体，可应用于器件或组件的高密度封装，并进而采用可插拔接口实现电驱动或信息传输。 |
| 申请日期 | 2009-09-23 |
| 专利号 | CN101667713B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200910075479.4 |
| 公开（公告）号 | CN101667713B |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | 李荣文 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48336 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常慧增,张世祖. 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法. CN101667713B[P]. 2011-07-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101667713B.PDF（256KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [常慧增]的文章 |
| [张世祖]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [常慧增]的文章 |
| [张世祖]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [常慧增]的文章 |
| [张世祖]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论