(Mg,Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法

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	(Mg,Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法
其他题名	(Mg,Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法
	夏长泰; 张俊刚; 徐军; 周国清; 吴锋; 彭观良
	2007-01-17
专利权人	中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期	2007-01-17
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种(Mg，Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgAl2O4单晶上设有一层(Mg，Cd)In2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用脉冲激光淀积方法在MgAl2O4(111)单晶衬底上形成(Mg，Cd)In2O4覆盖层，通过退火工艺处理，在MgAl2O4(111)单晶衬底得到晶化的(Mg，Cd)In2O4(111)薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，此种结构的复合衬底[(Mg，Cd)In2O4/MgAl2O4]适合于高质量GaN的外延生长。
其他摘要	一种(Mg，Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgAl2O4单晶上设有一层(Mg，Cd)In2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用脉冲激光淀积方法在MgAl2O4(111)单晶衬底上形成(Mg，Cd)In2O4覆盖层，通过退火工艺处理，在MgAl2O4(111)单晶衬底得到晶化的(Mg，Cd)In2O4(111)薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，此种结构的复合衬底[(Mg，Cd)In2O4/MgAl2O4]适合于高质量GaN的外延生长。
申请日期	2004-10-13
专利号	CN1295747C
专利状态	失效
申请号	CN200410067133.7
公开（公告）号	CN1295747C
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01S5/00
专利代理人	张泽纯
代理机构	上海新天专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48317
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	夏长泰,张俊刚,徐军,等. (Mg,Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底材料及其制备方法. CN1295747C[P]. 2007-01-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1295747C.PDF（442KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文