利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法

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	利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法
其他题名	利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法
	冯国英; 王树同; 杨超; 周寿桓
	2017-11-28
专利权人	四川大学
公开日期	2017-11-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明所述利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法：(1)将基底材料固定在电控平移台上，将飞秒脉冲激光经显微物镜聚焦后辐照到基底材料的面或内部，并按照设计好的微流道图案进行可控辐照，在基底材料中写入所设计的微流道图案；(2)微流道的制备，采用辅助湿法腐蚀法。(3)将块状掺杂激光材料粉碎并研磨成粉末后，分散到蒸馏水中，并将分散有掺杂激光材料的蒸馏水置于透明容器中，在搅拌下利用飞秒脉冲激光经聚焦后直接辐照消融，直至得到掺杂纳米晶材料；(4)微流道掺杂纳米晶激光器的制备。本发明方法制备的激光器输出方向可控性强，可作为集成光学芯片的光源。
其他摘要	本发明所述利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法：(1)将基底材料固定在电控平移台上，将飞秒脉冲激光经显微物镜聚焦后辐照到基底材料的面或内部，并按照设计好的微流道图案进行可控辐照，在基底材料中写入所设计的微流道图案；(2)微流道的制备，采用辅助湿法腐蚀法。(3)将块状掺杂激光材料粉碎并研磨成粉末后，分散到蒸馏水中，并将分散有掺杂激光材料的蒸馏水置于透明容器中，在搅拌下利用飞秒脉冲激光经聚焦后直接辐照消融，直至得到掺杂纳米晶材料；(4)微流道掺杂纳米晶激光器的制备。本发明方法制备的激光器输出方向可控性强，可作为集成光学芯片的光源。
申请日期	2014-12-12
专利号	CN104505709B
专利状态	授权
申请号	CN201410768310.8
公开（公告）号	CN104505709B
IPC 分类号	H01S5/30 \| B81C1/00
专利代理人	刘双兰
代理机构	成都科海专利事务有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48303
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	四川大学
推荐引用方式 GB/T 7714	冯国英,王树同,杨超,等. 利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法. CN104505709B[P]. 2017-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104505709B.PDF（143KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文