一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管

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	一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管
其他题名	一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管
	张子旸; 王占国; 徐波; 金鹏; 刘峰奇
	2005-10-26
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2005-10-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一在下限制层的下面的衬底；一层介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一缓冲层与其上面一层量子点之间均有一层间隔层，在最下面一层量子点的下面和最上面一层缓冲层的上面均有一层盖层。
其他摘要	一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一在下限制层的下面的衬底；一层介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一缓冲层与其上面一层量子点之间均有一层间隔层，在最下面一层量子点的下面和最上面一层缓冲层的上面均有一层盖层。
申请日期	2002-10-17
专利号	CN1225035C
专利状态	失效
申请号	CN02147587.3
公开（公告）号	CN1225035C
IPC 分类号	H01L33/02 \| H01L33/12 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48276
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张子旸,王占国,徐波,等. 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管. CN1225035C[P]. 2005-10-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1225035C.PDF（365KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文