Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器 | |
| 其他题名 | 一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器 |
| 张冶金; 郑婉华; 渠红伟; 邢名欣; 陈良惠 | |
| 2012-05-02 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-05-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器，该半导体光放大器包括纵向结构和横向结构，其中纵向结构为纵向弱限制结构或空气桥结构，横向结构采用蜂窝晶格结构，并引入线缺陷作为导光区。本发明采用蜂窝晶格引入线缺陷的光子晶体结构能够实现高群折射率，达到50或更高，且是横磁偏振工作模式，与多量子阱有源区结合实现横磁模式的放大，慢光效应增强了光和增益介质作用，大幅度缩短腔长。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器，该半导体光放大器包括纵向结构和横向结构，其中纵向结构为纵向弱限制结构或空气桥结构，横向结构采用蜂窝晶格结构，并引入线缺陷作为导光区。本发明采用蜂窝晶格引入线缺陷的光子晶体结构能够实现高群折射率，达到50或更高，且是横磁偏振工作模式，与多量子阱有源区结合实现横磁模式的放大，慢光效应增强了光和增益介质作用，大幅度缩短腔长。 |
| 申请日期 | 2010-09-08 |
| 专利号 | CN101976801B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201010277684.1 |
| 公开（公告）号 | CN101976801B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48263 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张冶金,郑婉华,渠红伟,等. 一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器. CN101976801B[P]. 2012-05-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101976801B.PDF（1179KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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