基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置

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	基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置
其他题名	基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置
	张冶金; 渠红伟; 王海玲; 张斯日古楞; 郑婉华
	2014-10-22
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2014-10-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该面上光源装置包括硅基耦合光栅部分和III-V族倾斜光束边发射激光器部分，其中硅基部分采用SOI材料，其上分布着布拉格光栅和耦合输出波导，实现高效耦合输出。III-V族倾斜光束边发射激光器结构直接键合于SOI上，光束向斜下方发射，照射到硅基布拉格光栅上，再耦合到硅基波导中。本发明通过倾斜光束边发射激光器与光栅的高效耦合，形成一种面上光源装置，其可通过事先对激光器进行选择，然后再集成到硅基上来实现，可实现更高的功率，工艺难度也不大，其中倾斜光束边发射激光器具有极低的发散角。
其他摘要	本发明公开了一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该面上光源装置包括硅基耦合光栅部分和III-V族倾斜光束边发射激光器部分，其中硅基部分采用SOI材料，其上分布着布拉格光栅和耦合输出波导，实现高效耦合输出。III-V族倾斜光束边发射激光器结构直接键合于SOI上，光束向斜下方发射，照射到硅基布拉格光栅上，再耦合到硅基波导中。本发明通过倾斜光束边发射激光器与光栅的高效耦合，形成一种面上光源装置，其可通过事先对激光器进行选择，然后再集成到硅基上来实现，可实现更高的功率，工艺难度也不大，其中倾斜光束边发射激光器具有极低的发散角。
申请日期	2013-02-19
专利号	CN103199436B
专利状态	授权
申请号	CN201310053244.1
公开（公告）号	CN103199436B
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/24
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48260
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张冶金,渠红伟,王海玲,等. 基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置. CN103199436B[P]. 2014-10-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103199436B.PDF（868KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文