Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器 | |
| 其他题名 | 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器 |
| 刘惠春; 沈文忠; 傅爱兵; 郝明瑞; 杨耀 | |
| 2014-10-15 | |
| 专利权人 | 上海交通大学无锡研究院 |
| 公开日期 | 2014-10-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。 |
| 其他摘要 | 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。 |
| 申请日期 | 2012-10-18 |
| 专利号 | CN102957092B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210397689.7 |
| 公开（公告）号 | CN102957092B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/04 |
| 专利代理人 | 楼高潮 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48248 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海交通大学无锡研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘惠春,沈文忠,傅爱兵,等. 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器. CN102957092B[P]. 2014-10-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102957092B.PDF（419KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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