一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器

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	一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器
其他题名	一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器
	王玥; 张家顺; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
	2011-10-12
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-10-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，该槽状波导包括依次连接的第一槽状波导、第二槽状波导和第三槽状波导，其中作为微腔的第二槽状波导的宽度大于第一槽状波导及第三槽状波导的宽度。这种结构能够将集光子晶体模式禁带局域模式限制效应、慢光效应及槽状波导的强场限制效应三者结合起来，能大幅度提高光与发光材料的相互作用，从而大幅度增强硅基的发光效率，进而实现低阈值激射。
其他摘要	本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，该槽状波导包括依次连接的第一槽状波导、第二槽状波导和第三槽状波导，其中作为微腔的第二槽状波导的宽度大于第一槽状波导及第三槽状波导的宽度。这种结构能够将集光子晶体模式禁带局域模式限制效应、慢光效应及槽状波导的强场限制效应三者结合起来，能大幅度提高光与发光材料的相互作用，从而大幅度增强硅基的发光效率，进而实现低阈值激射。
申请日期	2010-09-30
专利号	CN102005696B
专利状态	授权
申请号	CN201010500489.0
公开（公告）号	CN102005696B
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/24
专利代理人	周国城
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48217
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王玥,张家顺,吴远大,等. 一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器. CN102005696B[P]. 2011-10-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102005696B.PDF（1358KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文