基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器

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	基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器
其他题名	基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器
	张冶金; 王海玲; 渠红伟; 马绍栋; 郑婉华
	2014
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2014
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N型电极制作在N型接触层之上的中间；一环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上；一P型环状接触层制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极制作在环状P型盖层之上。本发明该结构在高密度集成，单纵模工作，高效耦合输出。更重要的是在工艺加工中省去通常的DFB分布反馈光栅制作及III-V族材料二次外延等工艺步骤，降低复杂性。
其他摘要	一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N型电极制作在N型接触层之上的中间；一环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上；一P型环状接触层制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极制作在环状P型盖层之上。本发明该结构在高密度集成，单纵模工作，高效耦合输出。更重要的是在工艺加工中省去通常的DFB分布反馈光栅制作及III-V族材料二次外延等工艺步骤，降低复杂性。
申请日期	2012-09-19
专利号	CN102856789B
专利状态	授权
申请号	CN201210350017.0
公开（公告）号	CN102856789B
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/30 \| H01S5/22
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48215
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张冶金,王海玲,渠红伟,等. 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器. CN102856789B[P]. 2014-01-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102856789B.PDF（856KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文