Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备 | |
| 其他题名 | 表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备 |
| 原坂和宏; 佐藤俊一; 轴谷直人; 石井稔浩 | |
| 2012-03-28 | |
| 专利权人 | 株式会社理光 |
| 公开日期 | 2012-03-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。 |
| 申请日期 | 2009-05-15 |
| 专利号 | CN101582562B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200910139045.6 |
| 公开（公告）号 | CN101582562B |
| IPC 分类号 | H01S5/42 | H01S5/187 | G02B26/10 | G03G15/04 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 王冉 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48206 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原坂和宏,佐藤俊一,轴谷直人,等. 表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备. CN101582562B[P]. 2012-03-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101582562B.PDF（1709KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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