Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法 | |
| 其他题名 | 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法 |
| 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 | |
| 2008-04-16 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2008-04-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种砷化镓基5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第二GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。 |
| 其他摘要 | 一种砷化镓基5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第二GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。 |
| 申请日期 | 2005-10-20 |
| 专利号 | CN100382347C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510086639.7 |
| 公开（公告）号 | CN100382347C |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/343 | H01L33/04 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48191 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,倪海桥,韩勤,等. 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法. CN100382347C[P]. 2008-04-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100382347C.PDF（341KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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