一种太赫兹波高速调制器及其制作方法

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	一种太赫兹波高速调制器及其制作方法
其他题名	一种太赫兹波高速调制器及其制作方法
	张雄; 丛嘉伟; 郭浩; 崔一平
	2014-07-09
专利权人	东南大学
公开日期	2014-07-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种太赫兹波高速调制器及其制作方法，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本发明应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本发明调制速率。
其他摘要	本发明公开了一种太赫兹波高速调制器及其制作方法，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本发明应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本发明调制速率。
申请日期	2011-12-19
专利号	CN102520532B
专利状态	授权
申请号	CN201110427332.4
公开（公告）号	CN102520532B
IPC 分类号	G02F1/017 \| H01S5/343
专利代理人	柏尚春
代理机构	南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48186
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	东南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张雄,丛嘉伟,郭浩,等. 一种太赫兹波高速调制器及其制作方法. CN102520532B[P]. 2014-07-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102520532B.PDF（352KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文